工作内容:1、负责SiC/GaNMOS等器件芯片设计与研发,及时解决开发过程中的相关设计、工艺、参数、可靠性等问题;2、负责功率半导体器件新技术、新标准、新工具和新方法研究及开发;3、提供项目从立项到量产前的开发过程需要的文件资料,受控相关文件;4、负责项目相关的数据收集、分析、报告整理,按照流程申请项目关键节点的审批;5、对已量产的产品提供问题分析与技术支持,建立项目开发数据库。职位要求:1、本科及以上学历,扎实的半导体器件基础和物理基础;2、3年SiC/GaNMOS功率半导体芯片设计与研发经验,具备独立的设计与研发能力;3、熟悉半导体封装、FAB晶圆制造工艺流程,了解功率器件内部物理结构;熟悉版图设计、器件仿真;了解芯片封装层面的热应力、机械应力仿真,PI/SI仿真;4、对芯片可靠性设计、晶圆工艺、封装、测试有深入理解,有芯片逆向工作分析经验者优先。5、具备良好的英文沟通能力。职能类别:模拟芯片工程师
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